Dépôt atomique de couche d'ALD
Applications
| Applications | But spécifique | Type de matériel d'ALD |
| Dispositifs de MEMS | Graver à l'eau-forte de la couche-barrière | Al2O3 |
| Couche protectrice | Al2O3 | |
| couche d'Anti-liaison | TiO2 | |
| Couche hydrophobe | Al2O3 | |
| Couche de collage | Al2O3 | |
| Couche résistante à l'usure | Al2O3, TiO2 | |
| couche Anti-courte de circuit | Al2O3 | |
| Couche de dissipation de charge | ZnO : Al | |
| Affichage électro-luminescent | Couche lumineuse | ZnS : Manganèse/heu |
| Couche de passivation | Al2O3 | |
| Matériaux de stockage | Matériaux ferroélectriques | HfO2 |
| Matériaux paramagnétiques | Gd2O3, heu2O3,₃du₂OdeDy, Ho2O3 | |
| Accouplement non magnétique | RU, IR | |
| Électrodes | Métaux précieux | |
| Accouplement inductif (ICP) | Couche diélectrique de haute-k porte | HfO2, TiO2, merci2O5,₂deZrO |
| Batterie solaire de silicium cristallin | Passivation extérieure | Al2O3 |
| Batterie en couche mince de perovskite | Couche de tampon | ZnxMnyO |
| Couche de conduite transparente | ZnO : Al | |
| emballage 3D | À travers-silicium-Vias (TSVs) | Cu, RU, étain |
| Application lumineuse | Couche de passivation d'OLED | Al2O3 |
| Capteurs | Couche de passivation, matériaux de remplissage | Al2O3, SiO2 |
| Traitement médical | Matériaux biocompatibles | Al2O3, TiO2 |
| Couche de protection contre la corrosion | Couche extérieure de protection contre la corrosion | Al2O3 |
| Batterie de carburant | Catalyseur | Pinte, palladium, Rhésus |
| Batterie au lithium | Couche matérielle de protection d'électrode | Al2O3 |
| Tête de lecture/écriture de disque dur | Couche de passivation | Al2O3 |
| Revêtement décoratif | Film couleurs, film métallisé | Al2O3, TiO2 |
| revêtement d'Anti-décoloration | Revêtement d'antioxydation de métal précieux | Al2O3, TiO2 |
| Films optiques | Indice de réfraction haut-bas |
MGF2, SiO2, ZnS, TiO2, merci2O5, ZrO2, HfO2 |
Principe de fonctionnement
Le dépôt atomique de couche (ALD) est une méthode de déposer les substances sur la surface du substrat dans
forme d'une seule couche atomique de film par couche. Le dépôt atomique de couche est semblable au dépôt chimique commun,
mais en cours de dépôt atomique de couche, la réaction chimique d'une nouvelle couche de film atomique est directement
lié à la couche précédente, de sorte que seulement une couche d'atomes soit déposée dans chaque réaction par cette méthode.
Caractéristiques
| Modèle | ALD1200-500 |
| Système de revêtement de film | AL2O3, TiO2, ZnO, etc. |
| Température ambiante de revêtement | La température normale à 500℃ (personnalisable) |
| Taille de revêtement de puits à dépression | Diamètre intérieur : 1200mm, taille : 500mm (personnalisable) |
| Structure de puits à dépression | Selon les exigences de client |
| Vide de fond | <5>-7mbar |
| Épaisseur de revêtement | ≥0.15nm |
| Précision de contrôle d'épaisseur | ±0.1nm |
| Taille de revêtement | ² du ² du ² de 200×200mm/400×400mm/1200×1200 millimètre, etc. |
| Uniformité d'épaisseur de film | ≤±0.5% |
| Précurseur et porteur gaz |
Triméthylaluminium, tétrachlorure titanique, zinc diéthylique, l'eau pure, azote, etc. (₄ HZn d'Al, de TiCl4, de C de ₉ de ₃ H de C, H2₂d'O, deN, etc.) |
| Note : Production adaptée aux besoins du client disponible. | |
Échantillons de revêtement
Étapes de processus
Le → placent le substrat pour enduire dans le puits à dépression ;
→ Vacuumize le puits à dépression à la température de ciel et terre, et tourner le substrat synchroniquement ;
Le → commencent à enduire : le substrat est entré en contact avec le précurseur dans l'ordre et sans réaction simultanée ;
Le → le purgent avec le gaz de grande pureté d'azote après chaque réaction ;
L'arrêt de → tournant le substrat après l'épaisseur de film est jusqu'à standard et l'opération de la purge et
le refroidissement est accompli, puis sort le substrat après le vide cassant des conditions sont rencontrés.
Nos avantages
Nous sommes fabricant.
Processus mûr.
Réponse dans un délai de 24 heures de travail.
Notre certification d'OIN
Parties de nos brevets
Parties de nos récompenses et qualifications de R&D
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