Le diélectrique filme le dépôt de revêtement optique de pulvérisation de magnétron d'O2 PVD de N2 de l'AR d'équipement
Applications
| Applications | But spécifique | Type matériel |
| Semi-conducteur | IC, électrode de LSI, câblant le film | AI, Al-SI, Al-SI-Cu, Cu, Au, pinte, palladium, AG |
| Électrode de mémoire de VLSI | MOIS, W, Ti | |
| Film de barrière de diffusion | MoSix, Wsix, TaSix, TiSx, W, MOIS, W-Ti | |
| Film adhésif | PZT (Pb-ZrO2-Ti), Ti, W | |
| Affichage | Film conducteur transparent | ITO (In2O ; - SnO2) |
| Film de câblage d'électrode | MOIS, W, Cr, ventres, Ti, Al, AlTi, AITa | |
| Film électro-luminescent |
ZnS-manganèse, ZnS-TB, CAS-Eu, Y2O3, merci2O5, BaTiO3 |
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| Enregistrement magnétique | Film d'enregistrement magnétique vertical | CoCr |
| Film pour le disque dur | CoCrTa, CoCrPt, CoCrTaPt | |
| Tête magnétique de la couche mince | CoTaZr, CoCrZr | |
| Film en cristal artificiel | Copte, CoPd | |
| Enregistrement optique | Film d'enregistrement de disque de changement de phase | TeSe, SbSe, TeGeSb, etc. |
| Film d'enregistrement de disque magnétique |
TbFeCo, DyFeCo, TbGdFeCo, TbDyFeCo |
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| Film réfléchi de disque optique | AI, AITi, AlCr, Au, alliage d'Au | |
| Film de protection de disque optique | SI3N4, SiO2+ZnS | |
| Batterie en couche mince de perovskite | Couche de conduite transparente | ZnO : Al |
| Traitement médical | Matériaux biocompatibles | Al2O3, TiO2 |
| Revêtement décoratif | Film couleurs, film métallisé | Al2O3, TiO2, ettoutessortesdefilmsen métal |
| revêtement d'Anti-décoloration | Revêtement d'antioxydation de métal précieux | Al2O3, TiO2 |
| Films optiques | Indice de réfraction haut-bas | SiO2, TiO2, merci2O5,₂deZrO, HfO2 |
| D'autres applications | Film opaque | Cr, AlSi, AlTi, etc. |
| Film résistif | NiCrSi, CrSi, MoTa, etc. | |
| Film supraconducteur | YbaCuO, BiSrCaCuo | |
| À bande perforée magnétique | Fe, Co, Ni, FeMn, FeNi, etc. |
Caractéristiques
| Modèle | MSC700-750-700 |
| Type de revêtement | Divers films diélectriques tels que l'oxyde de film métallique, de métal et AIN |
| Température ambiante de revêtement | La température normale à 500℃ (personnalisable) |
| Taille de revêtement de puits à dépression | 700mm*750mm*700mm (personnalisable) |
| Vide de fond | <5>-7mbar |
| Épaisseur de revêtement | ≥10nm |
| Précision de contrôle d'épaisseur | ≤±3% |
| Taille de revêtement maximum | ≥100mm (personnalisable) |
| Uniformité d'épaisseur de film | ≤±0.5% |
| Transporteur de substrat | Avec le mécanisme planétaire de rotation |
| Matériel de cible | pouces 4x4 (compatibles avec 4 pouces et ci-dessous) |
| Alimentation d'énergie | Les alimentations d'énergie telles que C.C, impulsion, rf, SI et la polarisation sont facultative |
| Gaz de processus | L'AR, N2, O2 |
| Note : Production adaptée aux besoins du client disponible. | |
Étapes de processus
Le → placent le substrat pour enduire dans le puits à dépression ;
Le → vacuumize rudement ;
Le → tournent sur la pompe moléculaire, vacuumize à grande vitesse, puis tournent sur la révolution et la rotation ;
→ chauffant le puits à dépression jusqu'à ce que la température atteigne la cible ;
Le → mettent en application le contrôle de température constant ;
Le → nettoient des éléments ;
Le → tournent et de nouveau à l'origine ;
Film de revêtement de → selon des conditions de processus ;
Le → bas la température et arrêtent l'ensemble de pompe après le revêtement ;
Le → cessent de fonctionner quand l'opération automatique est de finition.
Échantillon de revêtement
Principe de fonctionnement
Le magnétron pulvérisant est un genre de dépôt en phase vapeur physique (PVD). Il entreprend la démarche d'électrons dans la spirale
chemins près de la surface de cible par l'interaction entre les champs magnétiques et électriques, de ce fait augmentation
probabilité des électrons frappant le gaz d'argon pour produire des ions. Les ions produits ont alors frappé la surface de cible
sous l'action du champ électrique et pulvériser les matériaux de cible à la couche mince de deposite sur la surface de substrat.
La méthode générale de pulvérisation peut être employée pour la préparation de divers métaux, semi-conducteurs, ferromagnétiques
matériaux, aussi bien qu'oxydes isolés, céramique et d'autres substances. L'équipement emploie le contact de PLC+
système de contrôle du panneau HMI, qui peut entrer des paramètres par l'interface de processus programmable, avec les fonctions
comme la pulvérisation monocible, la pulvérisation séquentielle multicible et la Co-pulvérisation.
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Processus mûr.
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